图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:4114 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:1186 |
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最小起订量:1 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:2810 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 NTMD6N03R2 |
| 文档 |
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Change 20/Aug/2008 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 32 mOhm @ 6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 30nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 950pF @ 24V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 32@10V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 6 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 32 mOhm @ 6A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 950pF @ 24V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTMD6N03R2GOSCT |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 6 A |
| 正向跨导 - 闵 | 10 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 32 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns, 45 ns |
| 上升时间 | 27 ns, 22 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 34 ns, 45 ns |
| 漏极电流（最大值） | 6 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.032 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :6A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :24mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.8V |
| No. of Pins | :8 |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412100 |
| associated | 80-4-5 |
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